ସେରାମିକ୍-ସଶକ୍ତ HEA- ଆଧାରିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |

CoCrFeNi ହେଉଛି ଏକ ଭଲ ଅଧ୍ୟୟନିତ ଚେହେରା-କେନ୍ଦ୍ରିତ ଘନ (fcc) ଉଚ୍ଚ-ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲୋଇ (HEA), ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ନକ୍ଷତ୍ରତା କିନ୍ତୁ ସୀମିତ ଶକ୍ତି |ଏହି ଅଧ୍ୟୟନର ଧ୍ୟାନ ହେଉଛି ଆର୍ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରି ବିଭିନ୍ନ ପରିମାଣର SiC ଯୋଗ କରି ଏହିପରି HEA ର ଶକ୍ତି ଏବଂ ନକ୍ଷତ୍ରର ସନ୍ତୁଳନକୁ ସୁଦୃ। କରିବା |ଏହା ସ୍ଥାପିତ ହୋଇଛି ଯେ ବେସ୍ HEA ରେ କ୍ରୋମିୟମର ଉପସ୍ଥିତି ତରଳିବା ସମୟରେ SiC ର କ୍ଷୟ ହୋଇଥାଏ |ଏହିପରି, କ୍ରୋମିୟମ ସହିତ ମାଗଣା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟା କ୍ରୋମିୟମ କାର୍ବାଇଡଗୁଡିକର ସେଟୁ ଗଠନକୁ ନେଇଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ମାଗଣା ସିଲିକନ୍ ବେସ୍ HEA ରେ ସମାଧାନରେ ରହିଥାଏ ଏବଂ / କିମ୍ବା ସିଲିକାଇଡ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ମୂଳ HEA ଗଠନ କରୁଥିବା ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିଥାଏ |SiC ବିଷୟବସ୍ତୁ ବ increases ଼ିବା ସହିତ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ପର୍ଯ୍ୟାୟ ନିମ୍ନଲିଖିତ କ୍ରମରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ: fcc → fcc + eutectic → fcc + କ୍ରୋମିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଫ୍ଲେକ୍ → fcc + କ୍ରୋମିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଫ୍ଲେକ୍ + ସିଲାଇସିଡ୍ → fcc + କ୍ରୋମିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଫ୍ଲେକ୍ସ + ସିଲାଇସିଡ୍ + ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବଲ୍ / ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଫ୍ଲେକ୍ |ପାରମ୍ପରିକ ଆଲୋଇସ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରୋପି ଆଲୋଇସ୍ ତୁଳନାରେ ପରିଣତ ହୋଇଥିବା କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକର ଏକ ବ୍ୟାପକ ପରିସର ପ୍ରଦର୍ଶିତ କରେ (ଉତ୍ପାଦନ ଶକ୍ତି 277 MPa ରୁ 60% ବ ong ଼ିବାରେ 2522 MPa ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ) |ବିକଶିତ କେତେକ ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣକୁ ଦର୍ଶାଏ (ଅମଳ ଶକ୍ତି 1200 MPa, ବିସ୍ତାର 37%) ଏବଂ ଅମଳର ଚାପ-ବିସ୍ତାର ଚିତ୍ରରେ ପୂର୍ବରୁ ଅପହଞ୍ଚ ଅଞ୍ଚଳଗୁଡିକ ଦଖଲ କରେ |ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବିସ୍ତାର ସହିତ, HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର କଠିନତା ଏବଂ ଅମଳ ଶକ୍ତି ବଲ୍କ ଧାତବ ଚଷମା ସହିତ ସମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ |ତେଣୁ, ବିଶ୍ believed ାସ କରାଯାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ-ଏଣ୍ଟ୍ରପି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକର ବିକାଶ ଉନ୍ନତ ଗଠନମୂଳକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ହାସଲ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିଥାଏ |
ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲୋଇର ବିକାଶ ହେଉଛି ଧାତବ ବିଦ୍ୟାରେ ଏକ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ନୂତନ ଧାରଣା |ହାଇ ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲୋଇସ୍ (HEA) ଅନେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ଦେଖାଇଛି, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା 3,4 ସୁପରପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ବିସ୍ତାର 5,6 ଥକ୍କା ପ୍ରତିରୋଧ 7,8 ​​କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ 9,10,11, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ 12,13,14 , 15 ଏବଂ ଟ୍ରିବୋଲୋଜିକାଲ୍ ଗୁଣ 15, 16,17 ଏପରିକି ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ 18,19,20,21,22 ଏବଂ ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ 23,24,25 |HEA ରେ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ସାଧାରଣତ four ଚାରୋଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରଭାବ ସହିତ ଦାୟୀ, ଯଥା ଉଚ୍ଚ ବିନ୍ୟାସିତ ଏଣ୍ଟ୍ରୋପି 26, ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଲାଟାଇଟ୍ ବିକୃତି 27, ଧୀର ବିସ୍ତାର 28 ଏବଂ କକଟେଲ ପ୍ରଭାବ 29 |HEA ଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ F FCC, BCC ଏବଂ HCP ପ୍ରକାର ଭାବରେ ଶ୍ରେଣୀଭୁକ୍ତ କରାଯାଏ |FCC HEA ସାଧାରଣତ transition କୋ, କ୍ର, ଫେ, ନି ଏବଂ Mn ପରି ସଂକ୍ରମଣ ଉପାଦାନ ଧାରଣ କରିଥାଏ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ନକ୍ଷତ୍ରତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିଥାଏ (ଏପରିକି ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ 25) କିନ୍ତୁ କମ୍ ଶକ୍ତି |BCC HEA ସାଧାରଣତ high ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଉପାଦାନଗୁଡିକ ଯେପରିକି W, Mo, Nb, Ta, Ti ଏବଂ V କୁ ନେଇ ଗଠିତ ଏବଂ ଏହାର ବହୁତ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଅଛି କିନ୍ତୁ ନିମ୍ନ ନକ୍ଷତ୍ରତା ଏବଂ ନିମ୍ନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଶକ୍ତି 30 |
ଯନ୍ତ୍ର, ଥର୍ମୋମେକାନିକାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଯୋଗ ଉପରେ ଆଧାର କରି HEA ର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରାଲ୍ ମୋଡିଫିକେସନ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣର ସର୍ବୋତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣ ପାଇବା ପାଇଁ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରାଯାଇଛି |CoCrFeMnNi FCC HEA ଉଚ୍ଚ ଚାପର ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଦ୍ severe ାରା ଗୁରୁତର ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ବିକୃତିର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୁଏ, ଯାହା କଠିନତା (520 HV) ଏବଂ ଶକ୍ତି (1950 MPa) ର ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବୃଦ୍ଧି ଘଟାଇଥାଏ, କିନ୍ତୁ ଏକ ନାନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର (~ 50 nm) ର ବିକାଶ ଏହି ମିଶ୍ରଣକୁ ଭଙ୍ଗୁର କରିଥାଏ | ।ଏହା ଦେଖିବାକୁ ମିଳିଛି ଯେ ଟ୍ୱିନ୍ ଡକ୍ଟିଲିଟି (TWIP) ଏବଂ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମେସନ୍ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ (TRIP) କୁ CoCrFeMnNi HEA ରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରିବା ଉତ୍ତମ କାର୍ଯ୍ୟର କଠିନତା ପ୍ରଦାନ କରେ ଯାହା ଫଳସ୍ୱରୂପ ପ୍ରକୃତ ଟେନସାଇଲ୍ ଶକ୍ତି ମୂଲ୍ୟ ଖର୍ଚ୍ଚରେ |ନିମ୍ନରେ (1124 MPa) 32. CoCrFeMnNi HEA ରେ ଏକ ସ୍ତରୀୟ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର (ଏକ ପତଳା ବିକୃତ ସ୍ତର ଏବଂ ଏକ ଅଣସଂରକ୍ଷିତ କୋରକୁ ନେଇ ଗଠିତ) ସଟ ପେନିଂ ବ୍ୟବହାର କରି ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା, କିନ୍ତୁ ଏହି ଉନ୍ନତି ପ୍ରାୟ 700 MPa33 ରେ ସୀମିତ ରହିଲା |ଶକ୍ତି ଏବଂ ନ uct ତିକତାର ସର୍ବୋତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣ ସହିତ ସାମଗ୍ରୀ ସନ୍ଧାନରେ, ଅଣ-ଆଇସୋଟୋମିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଯୋଗ ବ୍ୟବହାର କରି ମଲ୍ଟିଫେଜ୍ HEA ଏବଂ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ HEA ର ବିକାଶ ମଧ୍ୟ 34,35,36,37,38,39,40,41 ଅନୁସନ୍ଧାନ କରାଯାଇଛି |ବାସ୍ତବରେ, ଏହା ଜଣାପଡିଛି ଯେ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ହାଇ-ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲଏସରେ କଠିନ ଏବଂ ନରମ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଏକ ଉତ୍ତମ ବଣ୍ଟନ ଶକ୍ତି ଏବଂ ନକ୍ଷତ୍ରର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଉତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣକୁ ନେଇପାରେ 35,38,42,43 |
CoCrFeNi ସିଷ୍ଟମ୍ ହେଉଛି ଏକ ବହୁଚର୍ଚ୍ଚିତ ଏକକ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ FCC ହାଇ-ଏଣ୍ଟ୍ରପି ମିଶ୍ରଣ |ଏହି ସିଷ୍ଟମ୍ ଉଭୟ ନିମ୍ନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଦ୍ରୁତ କାର୍ଯ୍ୟ କଠିନତା ଗୁଣ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ନ uct ତିକତା 45,46 ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |ଏହାର ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଶକ୍ତି (~ 300 MPa) 47,48 ରେ ଶସ୍ୟ ବିଶୋଧନ 25, ହେଟେରୋଜିନସ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର୍ 49, ବୃଷ୍ଟିପାତ 50,51,52 ଏବଂ ପରିବର୍ତ୍ତନ-ପ୍ରେରିତ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ (TRIP) 53 କୁ ଉନ୍ନତ କରିବାକୁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟାସ କରାଯାଇଛି |କଠିନ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଶୀତଳ ଚିତ୍ର ଦ୍ୱାରା କାଷ୍ଟ ଚେହେରା-କେନ୍ଦ୍ରିତ ଘନ HEA CoCrFeNi ର ଶସ୍ୟ ବିଶୋଧନ ପ୍ରାୟ 300 MPa47.48 ରୁ 1.2 GPa25 କୁ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ, କିନ୍ତୁ 60% ରୁ 12.6% କୁ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ |CoCrFeNi ର HEA ରେ ଅଲର ଯୋଗ ହେତୁ ଏକ ହେଟ୍ରୋଜେନିୟସ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ସୃଷ୍ଟି ହେଲା, ଯାହା ଏହାର ଅମଳ ଶକ୍ତି 786 MPa ଏବଂ ଏହାର ଆପେକ୍ଷିକ ବିସ୍ତାର ପ୍ରାୟ 22% 49 କୁ ବୃଦ୍ଧି କଲା |CoCrFeNi HEA ଟି ଏବଂ ଅଲ୍ ସହିତ ମିଶି ବର୍ଷା ସୃଷ୍ଟି କଲା, ଯାହା ଦ୍ prec ାରା ବର୍ଷା ଶକ୍ତିଶାଳୀ ହେଲା, ଏହାର ଅମଳ ଶକ୍ତି 645 MPa ଏବଂ ବୃଦ୍ଧି 39% 51 କୁ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |TRIP ଯନ୍ତ୍ରକ face ଶଳ (ମୁଖ-କେନ୍ଦ୍ରିତ ଘନ → ହେକ୍ସାଡ୍ରାଲ୍ ମାର୍ଟେନ୍ସାଇଟିକ୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମେସନ୍) ଏବଂ ଯୁଗ୍ମକରଣ CoCrFeNi HEA ର ଟେନସାଇଲ୍ ଶକ୍ତିକୁ 841 MPa ଏବଂ ବ୍ରେକ୍ ରେ 76% 53 କୁ ବୃଦ୍ଧି କଲା |
ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ବିକଶିତ କରିବା ପାଇଁ HEA ମୁଖ କେନ୍ଦ୍ରୀଭୂତ ଘନ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ ସେରାମିକ୍ ଦୃ for ୀକରଣ ଯୋଡିବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରାଯାଇଛି ଯାହା ଶକ୍ତି ଏବଂ ନ uct ତିକତାର ଏକ ଉତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିପାରିବ |ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି ସହିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଆର୍ ତରଳିବା 44, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଆଲୋଇଙ୍ଗ୍ 45,46,47,48,52,53, ସ୍ପାର୍କ ପ୍ଲାଜମା ସିନ୍ଟରିଂ 46,51,52, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ହଟ୍ ପ୍ରେସ୍ 45, ହଟ୍ ଆଇସୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ପ୍ରେସ୍ 47,48 ଏବଂ ଯୋଗୀ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବିକାଶ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରାଯାଇଛି | 50କାର୍ବାଇଡ୍, ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଯେପରିକି WC44, 45, 46, Al2O347, SiC48, TiC43, 49, TiN50 ଏବଂ Y2O351 HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ବିକାଶରେ ସେରାମିକ୍ ଦୃ for ୀକରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |ଏକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ବିକାଶ କରିବା ସମୟରେ ସଠିକ୍ HEA ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ ସେରାମିକ୍ ବାଛିବା ବିଶେଷ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |ଏହି କାର୍ଯ୍ୟରେ, CoCrFeNi କୁ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଚୟନ କରାଯାଇଥିଲା |CoCrFeNi HEA ରେ ବିଭିନ୍ନ ପରିମାଣର SiC ଯୋଗ କରାଯାଇଥିଲା ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର, ଫେଜ୍ ରଚନା ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଉପରେ ଏହାର ପ୍ରଭାବ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯାଇଥିଲା |
ଉଚ୍ଚ କଣିକା ଧାତୁ କୋ, କ୍ର, ଫେ, ଏବଂ ନି (99.95 wt%) ଏବଂ ସିସି ପାଉଡର (ଶୁଦ୍ଧତା 99%, ଆକାର -400 ଜାଲ) ପ୍ରାଥମିକ କଣିକା ଆକାରରେ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସୃଷ୍ଟି ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା |CoCrFeNi HEA ର isoatomic ଗଠନକୁ ପ୍ରଥମେ ଏକ ଗୋଲାର୍ଦ୍ଧ ଜଳ-ଥଣ୍ଡା ତମ୍ବା ଛାଞ୍ଚରେ ରଖାଗଲା, ଏବଂ ପରେ ଚାମ୍ବରକୁ 3 · 10-5 mbar କୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର କରାଗଲା |ଅଣ-ବ୍ୟବହାର ଯୋଗ୍ୟ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ଆର୍କ ତରଳିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ହାସଲ କରିବାକୁ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଆର୍ଗନ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ |ଫଳପ୍ରଦ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଗୁଡିକ ଭଲ ଏକତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ପାଞ୍ଚଥର ଓଲଟା ଏବଂ ରିମେଲ କରାଯାଏ |ବିଭିନ୍ନ ରଚନାଗୁଡ଼ିକର ହାଇ-ଏଣ୍ଟ୍ରୋପି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର SiC କୁ ପରିଣତ ହୋଇଥିବା ଇକ୍ୱାଟୋମିକ୍ CoCrFeNi ବଟନ୍ ଗୁଡିକରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରି ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା, ଯାହା ପ୍ରତ୍ୟେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ପାଞ୍ଚଗୁଣ ବିପରୀତ ଏବଂ ପୁନ el ନିର୍ମାଣ ଦ୍ୱାରା ପୁନ hom ସମୃଦ୍ଧ ହୋଇଥିଲା |ପରବର୍ତ୍ତୀ ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ ଚରିତ୍ରକରଣ ପାଇଁ EDM ବ୍ୟବହାର କରି ଫଳାଫଳ ହୋଇଥିବା ଯ os ଗିକରୁ ତିଆରି ହୋଇଥିବା ବଟନ୍ କଟାଗଲା |ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ମେଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ ପଦ୍ଧତି ଅନୁଯାୟୀ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ଷ୍ଟଡିଜ୍ ପାଇଁ ନମୁନା ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା |ପ୍ରଥମେ, ପରିମାଣିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ପାଇଁ ସଫ୍ଟୱେର୍ ଲାଇକା ଇମେଜ୍ ଆନାଲିସିସ୍ (LAS ଚରଣ ବିଶେଷଜ୍ଞ) ସହିତ ହାଲୁକା ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ (ଲାଇକା ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ DM6M) ବ୍ୟବହାର କରି ନମୁନାଗୁଡିକ ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥିଲା |ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ପାଇଁ ପ୍ରାୟ 27,000 µm2 କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ନିଆଯାଇଥିବା ତିନୋଟି ଚିତ୍ର ଚୟନ କରାଯାଇଥିଲା |ରାସାୟନିକ ରଚନା ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏବଂ ଉପାଦାନ ବଣ୍ଟନ ବିଶ୍ଳେଷଣ ସହିତ ଅଧିକ ବିସ୍ତୃତ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ଅଧ୍ୟୟନ, ଏକ ଶକ୍ତି ବିଛିନ୍ନ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପି (EDS) ବିଶ୍ଳେଷଣ ପ୍ରଣାଳୀ ସହିତ ସଜ୍ଜିତ ଏକ ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ (JEOL JSM-6490LA) ରେ କରାଯାଇଥିଲା |HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନାର ଚରିତ୍ରକରଣ ଏକ ଏକ୍ସ-ରେ ଡିଫ୍ରାକ୍ସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ (ବ୍ରୁକର D2 ଫେଜ୍ ସିଫ୍ଟର୍) କୁ CuKα ଉତ୍ସ ବ୍ୟବହାର କରି 0.04 ° ଷ୍ଟେପ୍ ସାଇଜ୍ ବ୍ୟବହାର କରି କରାଯାଇଥିଲା |HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଉପରେ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରାଲ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରଭାବ ବିକର୍ସ ମାଇକ୍ରୋହର୍ଡନେସ୍ ଟେଷ୍ଟ ଏବଂ ସଙ୍କୋଚନ ପରୀକ୍ଷଣ ବ୍ୟବହାର କରି ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯାଇଥିଲା |କଠିନତା ପରୀକ୍ଷା ପାଇଁ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ନମୁନାରେ ଅତି କମରେ 10 ଟି ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟେସନ୍ ବ୍ୟବହାର କରି 15 s ପାଇଁ 500 N ର ଭାର ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ |କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକର ସଙ୍କୋଚନ ପରୀକ୍ଷଣ 0.001 / s ର ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ହାରରେ ଶିମାଡଜୁ 50KN ସର୍ବଭାରତୀୟ ପରୀକ୍ଷଣ ମେସିନ୍ (UTM) ରେ ଆୟତାକାର ନମୁନା (7 mm × 3 mm × 3 mm) ଉପରେ କରାଯାଇଥିଲା |
ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି କମ୍ପୋଜିଟ୍, ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ S-1 ରୁ S-6 ନମୁନା ଭାବରେ କୁହାଯାଏ, ଏକ CoCrFeNi ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ 3%, 6%, 9%, 12%, 15%, ଏବଂ 17% SiC (ସମସ୍ତ ଓଜନ%) ଯୋଗ କରି ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା | ।ଯଥାକ୍ରମେରେଫରେନ୍ସ ନମୁନା ଯେଉଁଥିରେ କ Si ଣସି SiC ଯୋଗ କରାଯାଇ ନାହିଁ, ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ନମୁନା S-0 ଭାବରେ କୁହାଯାଏ |ବିକଶିତ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋଗ୍ରାଫ୍ ଡିମ୍ବିରିରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |1, ଯେଉଁଠାରେ, ବିଭିନ୍ନ ଯୋଗର ଯୋଗ ହେତୁ, CoCrFeNi HEA ର ଏକକ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର୍ ବିଭିନ୍ନ ମର୍ଫୋଲୋଜି, ଆକାର ଏବଂ ବଣ୍ଟନ ସହିତ ଅନେକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଗଠିତ ଏକ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହେଲା |ରଚନାରେ SiC ର ପରିମାଣ |ପ୍ରତ୍ୟେକ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ପରିମାଣ LAS ଚରଣ ବିଶେଷଜ୍ଞ ସଫ୍ଟୱେର୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରତିଛବି ବିଶ୍ଳେଷଣରୁ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଇଥିଲା |ଚିତ୍ର 1 (ଉପର ଡାହାଣ) ରେ ଥିବା ଇନସେଟ ଏହି ବିଶ୍ଳେଷଣ ପାଇଁ ଏକ ଉଦାହରଣ କ୍ଷେତ୍ର ଦେଖାଏ, ଏବଂ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଉପାଦାନ ପାଇଁ କ୍ଷେତ୍ର ଭଗ୍ନାଂଶ |
ବିକଶିତ ହାଇ-ଏଣ୍ଟ୍ରୋପି କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋଗ୍ରାଫ୍: (କ) C-1, (b) C-2, (c) C-3, (d) C-4, (e) C-5 ଏବଂ (f) C- 6ଇନ୍ସେଟ୍ LAS ଚରଣ ବିଶେଷଜ୍ଞ ସଫ୍ଟୱେର୍ ବ୍ୟବହାର କରି ବିପରୀତ-ଆଧାରିତ ପ୍ରତିଛବି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଫଳାଫଳଗୁଡିକର ଏକ ଉଦାହରଣ ଦେଖାଏ |
ଡିମ୍ବିରିରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି |1a, C-1 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ମଧ୍ୟରେ ଗଠିତ ଏକ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରକ୍ଚର୍, ଯେଉଁଠାରେ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ପରିମାଣ ଯଥାକ୍ରମେ 87.9 ± 0.47% ଏବଂ 12.1% ± 0.51% ହିସାବ କରାଯାଏ |ଚିତ୍ର 1b ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା କମ୍ପୋଜିଟ୍ (C-2) ରେ, କଠିନୀକରଣ ସମୟରେ ଏକ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର କ signs ଣସି ଚିହ୍ନ ନାହିଁ, ଏବଂ C-1 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଠାରୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭିନ୍ନ ଏକ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଦେଖାଯାଏ |ସି-୨ ଯ os ଗିକର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଭଲ ଏବଂ ପତଳା ପ୍ଲେଟଗୁଡିକ (କାର୍ବାଇଡସ୍) ସମାନ ଭାବରେ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବଣ୍ଟିତ |ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ଯଥାକ୍ରମେ 72 ± 1.69% ଏବଂ 28 ± 1.69% ଆକଳନ କରାଯାଇଛି |ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ କାର୍ବାଇଡ୍ ବ୍ୟତୀତ, C-3 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ରେ ଏକ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ (ସିଲିସିଡ୍) ମିଳିଲା, ଚିତ୍ର 1c ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଯେଉଁଠାରେ ଏହିପରି ସିଲିସିଡ୍, କାର୍ବାଇଡ୍, ଏବଂ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ପ୍ରାୟ 26.5% ± ଅନୁମାନ କରାଯାଏ | ଯଥାକ୍ରମେ 0.41%, 25.9 ± 0.53, ଏବଂ 47.6 ± 0.34 |ଅନ୍ୟ ଏକ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ (ଗ୍ରାଫାଇଟ୍) ମଧ୍ୟ C-4 ଯ os ଗିକର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ଦେଖାଗଲା;ସମୁଦାୟ ଚାରୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଚିହ୍ନଟ କରାଯାଇଥିଲା |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବିରେ ଗା dark ଼ ବିପରୀତ ସହିତ ଏକ ଭିନ୍ନ ଗ୍ଲୋବୁଲାର୍ ଆକୃତି ଅଛି ଏବଂ କେବଳ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣରେ ଉପସ୍ଥିତ (ଆନୁମାନିକ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ପ୍ରାୟ 0.6 ± 0.30%) |କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-5 ଏବଂ C-6 ରେ, କେବଳ ତିନୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଚିହ୍ନଟ କରାଯାଇଥିଲା, ଏବଂ ଏହି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକରେ ଗା dark ବିପରୀତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଫ୍ଲେକ୍ ଆକାରରେ ଦେଖାଯାଏ |କମ୍ପୋଜିଟ୍ S-5 ରେ ଥିବା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଫ୍ଲେକ୍ ତୁଳନାରେ, କମ୍ପୋଜିଟ୍ S-6 ରେ ଥିବା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଫ୍ଲେକ୍ ଗୁଡିକ ବ୍ୟାପକ, ଛୋଟ ଏବଂ ଅଧିକ ନିୟମିତ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବିଷୟବସ୍ତୁର ଅନୁରୂପ ବୃଦ୍ଧି ମଧ୍ୟ C-5 କମ୍ପୋଜିଟ୍ରେ 14.9 ± 0.85% ରୁ C-6 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ରେ ପ୍ରାୟ 17.4 ± 0.55% ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଦେଖାଗଲା |
HEA କମ୍ପୋଜିଟରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ବିସ୍ତୃତ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଏବଂ ରାସାୟନିକ ରଚନାକୁ ଅଧିକ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବାକୁ, SEM ବ୍ୟବହାର କରି ନମୁନା ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥିଲା, ଏବଂ EMF ପଏଣ୍ଟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ମ୍ୟାପିଂ ମଧ୍ୟ କରାଯାଇଥିଲା |କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-1 ପାଇଁ ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଡିମ୍ବିରିରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |2, ଯେଉଁଠାରେ ମୂଖ୍ୟ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଅଞ୍ଚଳଗୁଡ଼ିକୁ ପୃଥକ କରୁଥିବା ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ମିଶ୍ରଣଗୁଡିକର ଉପସ୍ଥିତି ସ୍ପଷ୍ଟ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଏ |କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସି -1 ର ରାସାୟନିକ ମାନଚିତ୍ର ଚିତ୍ର 2c ରେ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି, ଯେଉଁଠାରେ ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ କୋ, ଫେ, ନି, ଏବଂ ସି ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟନ କରାଯାଇଛି |ଅବଶ୍ୟ, ବେସ୍ HEA ର ଅନ୍ୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣର Cr ମିଳିଲା, ଏହା ଦର୍ଶାଏ ଯେ Cr ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରୁ ବିସ୍ତାର ହୋଇଛି |SEM ପ୍ରତିଛବିରେ ଧଳା ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ରଚନା କ୍ରୋମିୟମ୍ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳରେ ଭରପୂର ଅଟେ, ଏହା ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଏହା କ୍ରୋମିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଟେ |ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ପୃଥକ SiC କଣିକାର ଅନୁପସ୍ଥିତି, ମାଟ୍ରିକ୍ସରେ କ୍ରୋମିୟମର ନିମ୍ନ ବିଷୟବସ୍ତୁ ଏବଂ କ୍ରୋମିୟମ୍ ସମୃଦ୍ଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଧାରଣ କରିଥିବା ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ମିଶ୍ରଣର ମିଶ୍ରଣ, ତରଳିବା ସମୟରେ SiC ର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ କ୍ଷୟକୁ ସୂଚିତ କରେ |SiC ର କ୍ଷୟ ହେତୁ, ସିଲିକନ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ତରଳିଯାଏ ଏବଂ ମାଗଣା କାର୍ବନ କ୍ରୋମିୟମ ସହିତ ପାରସ୍ପରିକ ଭାବରେ କ୍ରୋମିୟମ କାର୍ବାଇଡ ଗଠନ କରିଥାଏ |ଯେପରି ଦେଖାଯାଏ, କେବଳ କାର୍ବନ ଗୁଣାତ୍ମକ ଭାବରେ EMF ପଦ୍ଧତି ଦ୍ determined ାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଇଥିଲା ଏବଂ ଏକ୍ସ-ରେ ବିଚ୍ଛେଦ s ାଞ୍ଚାରେ ଚରିତ୍ରଗତ କାର୍ବାଇଡ୍ ଶିଖର ଚିହ୍ନଟ ଦ୍ୱାରା ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗଠନ ନିଶ୍ଚିତ କରାଯାଇଥିଲା |
(କ) ନମୁନା S-1 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିଛବି, (ଗ) ଉପାଦାନ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-2 ର ବିଶ୍ଳେଷଣ ଡିମ୍ବିରିରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |3. ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିରେ ଦେଖାଯାଉଥିବା ପରି, SEM ପରୀକ୍ଷଣରେ କେବଳ ଦୁଇଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଗଠିତ ଏକ ସୂକ୍ଷ୍ମ ସଂରଚନା ପ୍ରକାଶ ପାଇଲା, ଯେଉଁଥିରେ ଏକ ପତଳା ଲାମେଲାର୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉପସ୍ଥିତି ସମଗ୍ର ସଂରଚନାରେ ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟନ କରାଯାଇଥିଲା |ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟ, ଏବଂ କ e ଣସି ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ନାହିଁ |ଲାମେଲାର ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉପାଦାନ ବଣ୍ଟନ ଏବଂ EMF ପଏଣ୍ଟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ Cr (ହଳଦିଆ) ଏବଂ C (ସବୁଜ) ର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ ବିଷୟବସ୍ତୁ ପ୍ରକାଶ କରିଥିଲା, ଯାହା ତରଳିବା ସମୟରେ SiC ର କ୍ଷୟ ଏବଂ କ୍ରୋମିୟମ୍ ପ୍ରଭାବ ସହିତ ମୁକ୍ତ କାର୍ବନର ପାରସ୍ପରିକ ସମ୍ପର୍କକୁ ସୂଚାଇଥାଏ | ।VEA ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏକ ଲାମେଲାର୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗଠନ କରେ |ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ବଣ୍ଟନ ଏବଂ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ପଏଣ୍ଟ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦର୍ଶାଇଲା ଯେ ଅଧିକାଂଶ କୋବାଲ୍ଟ, ଆଇରନ୍, ନିକେଲ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଉପସ୍ଥିତ |
(କ) ନମୁନା S-2 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିଛବି, (ଗ) ଉପାଦାନ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ସୂଚିତ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
C-3 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର SEM ଅଧ୍ୟୟନରେ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏବଂ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବ୍ୟତୀତ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉପସ୍ଥିତି ପ୍ରକାଶ ପାଇଲା |ମ element ଳିକ ମାନଚିତ୍ର (ଚିତ୍ର 4c) ଏବଂ EMF ପଏଣ୍ଟ ବିଶ୍ଳେଷଣ (ଚିତ୍ର 4d) ଦର୍ଶାଏ ଯେ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ନିକେଲ, କୋବାଲ୍ଟ ଏବଂ ସିଲିକନରେ ଭରପୂର |
(କ) ନମୁନା S-3 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିଛବି, (ଗ) ଉପାଦାନ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ସୂଚିତ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
C-4 ଯ os ଗିକର SEM ଏବଂ EMF ବିଶ୍ଳେଷଣର ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଡିମ୍ବରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |5. କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-3 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ତିନୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସହିତ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ନୋଡୁଲ୍ସର ଉପସ୍ଥିତି ମଧ୍ୟ ମିଳିଲା |ସିଲିକନ୍ ସମୃଦ୍ଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ମଧ୍ୟ C-3 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ |
(କ) ନମୁନା S-4 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିଛବି, (ଗ) ଉପାଦାନ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
କମ୍ପୋଜିଟ୍ S-5 ଏବଂ S-6 ର SEM ଏବଂ EMF ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାର ଫଳାଫଳ ଯଥାକ୍ରମେ ଚିତ୍ର 1 ଏବଂ 2. 6 ଏବଂ 7 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ଅଳ୍ପ ସଂଖ୍ୟକ କ୍ଷେତ୍ର ବ୍ୟତୀତ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଫ୍ଲେକର ଉପସ୍ଥିତି ମଧ୍ୟ ଦେଖାଗଲା |ଉଭୟ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଫ୍ଲେକ୍ ସଂଖ୍ୟା ଏବଂ ସି -6 କମ୍ପୋଜିଟ୍ରେ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣକାରୀ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ C-5 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ |
(କ) ନମୁନା C-5 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ଦୃଶ୍ୟ, (ଗ) ମ element ଳିକ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
(କ) ନମୁନା S-6 ର SEM ପ୍ରତିଛବି, (ଖ) ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିଛବି, (ଗ) ଉପାଦାନ ମାନଚିତ୍ର, (ଘ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥାନରେ EMF ଫଳାଫଳ |
HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ଚରିତ୍ରକରଣ ମଧ୍ୟ XRD ମାପ ବ୍ୟବହାର କରି କରାଯାଇଥିଲା |ଫଳାଫଳ ଚିତ୍ର 8 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | ବେସ୍ WEA (S-0) ର ବିଭାଜନ pattern ାଞ୍ଚାରେ, କେବଳ fcc ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସହିତ ଥିବା ଶିଖରଗୁଡିକ ଦୃଶ୍ୟମାନ ହୁଏ |କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-1, C-2, ଏବଂ C-3 ର ଏକ୍ସ-ରେ ବିଚ୍ଛେଦ pattern ାଞ୍ଚା କ୍ରୋମିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (Cr7C3) ଅନୁରୂପ ଅତିରିକ୍ତ ଶିଖରଗୁଡିକର ଉପସ୍ଥିତି ପ୍ରକାଶ କଲା, ଏବଂ C-3 ଏବଂ C-4 ନମୁନା ପାଇଁ ସେମାନଙ୍କର ତୀବ୍ରତା କମ୍ ଥିଲା, ଯାହା ସୂଚିତ କରିଥିଲା ​​| ଏହି ନମୁନାଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଡାଟା EMF ସହିତ |କୋ-ନି ସିଲିକାଇଡ୍ ସହିତ ଅନୁରୂପ ଶିଖରଗୁଡିକ S-3 ଏବଂ S-4 ନମୁନା ପାଇଁ ଦେଖାଗଲା, ଚିତ୍ର 2 ଏବଂ 3 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା EDS ମ୍ୟାପିଂ ଫଳାଫଳ ସହିତ ପୁନର୍ବାର ଅନୁରୂପ ଚିତ୍ର 3 ଏବଂ ଚିତ୍ର 4 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି 5 ଏବଂ S-6 ଶିଖରଗୁଡିକ ପାଳନ କରାଯାଇଥିଲା | ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସହିତ ଅନୁରୂପ |
ବିକଶିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଉଭୟ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ଏବଂ କ୍ରିଷ୍ଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା SiC ର କ୍ଷୟକୁ ସୂଚାଇଥାଏ |VEA ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ କ୍ରୋମିୟମର ଉପସ୍ଥିତି ଯୋଗୁଁ ଏହା ହୋଇଥାଏ |କାର୍ବନ 54.55 ପାଇଁ କ୍ରୋମିୟମର ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଦୃ inity ଼ତା ରହିଛି ଏବଂ ମାଗଣା କାର୍ବନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି କାର୍ବାଇଡ ଗଠନ କରିଥାଏ, ଯେପରି ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସର କ୍ରୋମିୟମ ସୂଚୀରେ ହ୍ରାସ ହେତୁ ସୂଚିତ କରାଯାଇଥିଲା |SiC56 ର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ହେତୁ Si fcc ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପ୍ରବେଶ କରେ |ଏହିପରି, ବେସ୍ HEA ରେ SiC ର ଯୋଗଦାନରେ କାର୍ବାଇଡ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପରିମାଣ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ମାଗଣା ସି ପରିମାଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |ଏହା ଦେଖିବାକୁ ମିଳିଛି ଯେ ଏହି ଅତିରିକ୍ତ ସି ମାଟ୍ରିକ୍ସରେ କମ୍ ଏକାଗ୍ରତାରେ (କମ୍ପୋଜିଟ୍ S-1 ଏବଂ S-2 ରେ) ଜମା ହୋଇଥିବାବେଳେ ଅଧିକ ଏକାଗ୍ରତାରେ (କମ୍ପୋଜିଟ୍ S-3 ରୁ S-6) ଏହା ଅତିରିକ୍ତ କୋବାଲ୍ଟ ଡିପୋଜିସନ୍ / ରେ ପରିଣତ ହୁଏ |ନିକେଲ୍ ସିଲିସିଡ୍ |ସିଧାସଳଖ ସିନ୍ଥେସିସ୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା କ୍ୟାଲୋରିମେଟ୍ରି ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ କୋ ଏବଂ ନି ସିଲାଇସିଡ୍ ଗଠନର ମାନକ ଏଣ୍ଟାଲପି, ଯଥାକ୍ରମେ Co2Si, CoSi ଏବଂ CoSi2 ପାଇଁ -37.9 ± 2.0, -49.3 ± 1.3, -34.9 ± 1.1 kJ mol -1 ଅଟେ | ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି - ଯଥାକ୍ରମେ Ni2Si ଏବଂ Ni5Si2 ପାଇଁ 50.6 ± 1.7 ଏବଂ - 45.1 ± 1.4 kJ mol-157 |ଏହି ମୂଲ୍ୟଗୁଡିକ SiC ଗଠନର ଉତ୍ତାପଠାରୁ କମ୍ ଅଟେ, ସୂଚାଇଥାଏ ଯେ ସି / ନି ସିଲିକାଇଡ୍ ଗଠନକୁ ନେଇଥିବା SiC ର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଅନୁକୂଳ ଅଟେ |ଉଭୟ S-5 ଏବଂ S-6 କମ୍ପୋଜିଟ୍ସରେ ଅତିରିକ୍ତ ମାଗଣା ସିଲିକନ୍ ଉପସ୍ଥିତ ଥିଲା, ଯାହା ସିଲିସିଡ୍ ଗଠନ ବାହାରେ ଶୋଷିତ ହୋଇଥିଲା |ଏହି ମାଗଣା ସିଲିକନ୍ ପାରମ୍ପାରିକ ଷ୍ଟିଲ୍ 58 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ଗ୍ରାଫିଟାଇଜେସନ୍ରେ ଅବଦାନ ପାଇଁ ମିଳିଲା |
HEA ଉପରେ ଆଧାରିତ ବିକଶିତ ସିରାମିକ୍-ସଶକ୍ତ ଯ os ଗିକର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକ ସଙ୍କୋଚନ ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ କଠିନତା ପରୀକ୍ଷଣ ଦ୍ୱାରା ଅନୁସନ୍ଧାନ କରାଯାଏ |ବିକଶିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଷ୍ଟ୍ରେସ୍-ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ବକ୍ରଗୁଡିକ ଡିମ୍ବିରିରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |9a, ଏବଂ ଚିତ୍ର 9b ରେ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳ ଶକ୍ତି, ଅମଳ ଶକ୍ତି, କଠିନତା ଏବଂ ବିକଶିତ ଯ os ଗିକର ବିସ୍ତାର ମଧ୍ୟରେ ଏକ ବିଛିନ୍ନତା ଦେଖାଏ |
(କ) ସଙ୍କୋଚନକାରୀ ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ବକ୍ର ଏବଂ (ଖ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳର ଚାପ, ଅମଳ ଶକ୍ତି, କଠିନତା ଏବଂ ବିସ୍ତାର ଦେଖାଉଥିବା ବିଛାଇବା ସ୍ଥାନଗୁଡିକ |ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ କେବଳ S-0 ରୁ S-4 ନମୁନାଗୁଡିକ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି, ଯେହେତୁ S-5 ଏବଂ S-6 ନମୁନାଗୁଡ଼ିକରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାଷ୍ଟିଂ ତ୍ରୁଟି ରହିଛି |
ଡିମ୍ବିରିରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି |9, ଅମଳ ଶକ୍ତି ବେସ୍ VES (C-0) ପାଇଁ 136 MPa ରୁ C-4 ଯ os ଗିକ ପାଇଁ 2522 MPa କୁ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |ମ basic ଳିକ WPP ତୁଳନାରେ, S-2 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ପ୍ରାୟ 37% ବିଫଳତା ପାଇଁ ଏକ ବହୁତ ଭଲ ବିସ୍ତାର ଦେଖାଇଲା, ଏବଂ ଅଧିକ ଅମଳ ଶକ୍ତି ମୂଲ୍ୟ (1200 MPa) ମଧ୍ୟ ଦେଖାଇଲା |ଏହି ଯ os ଗିକର ଶକ୍ତି ଏବଂ ନ uct ତିକତାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ସାମଗ୍ରିକ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ଉନ୍ନତି ହେତୁ ହୋଇଥାଏ, ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ ସୂକ୍ଷ୍ମ କାର୍ବାଇଡ୍ ଲାମେଲା ର ସମାନ ବଣ୍ଟନ ସହିତ, ଯାହା ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ |C-3 ଏବଂ C-4 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ଅମଳ ଶକ୍ତି ଯଥାକ୍ରମେ 1925 MPa ଏବଂ 2522 MPa |ଏହି ଉଚ୍ଚ ଅମଳର ଶକ୍ତିକୁ ସିମେଣ୍ଟେଡ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏବଂ ସିଲାଇସିଡ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉଚ୍ଚ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇପାରେ |ଅବଶ୍ୟ, ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟଗୁଡିକର ଉପସ୍ଥିତି ମଧ୍ୟ 7% ବ୍ରେକ୍ ରେ ଏକ ବ ong ଼ିବାରେ ପରିଣତ ହେଲା |ବେସ୍ କମ୍ପୋଜିଟ୍ସ CoCrFeNi HEA (S-0) ଏବଂ S-1 ର ଷ୍ଟ୍ରେସ୍-ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ବକ୍ରଗୁଡିକ କନଭକ୍ସ ଅଟେ, ଯାହା ଯୁଗ୍ମ ପ୍ରଭାବ କିମ୍ବା TRIP59,60 ର ସକ୍ରିୟତାକୁ ସୂଚାଇଥାଏ |S-1 ନମୁନା ତୁଳନାରେ, ନମୁନା S-2 ର ଷ୍ଟ୍ରେସ୍-ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ବକ୍ରର ପ୍ରାୟ 10.20% ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ରେ ଏକ ଅବତଳ ଆକୃତି ଅଛି, ଯାହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ସାଧାରଣ ବିସ୍ଥାପିତ ସ୍ଲିପ୍ ହେଉଛି ଏହି ବିକୃତ ଅବସ୍ଥାରେ ନମୁନାର ମୁଖ୍ୟ ବିକୃତି ମୋଡ୍ 60,61 | ।ଅବଶ୍ୟ, ଏହି ନମୁନାରେ କଠିନତା ହାର ଏକ ବୃହତ ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ପରିସର ଉପରେ ଅଧିକ ରହିଥାଏ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ଗୁଡିକରେ ସଂକଳନକୁ ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ମଧ୍ୟ ଦୃଶ୍ୟମାନ ହୁଏ (ଯଦିଓ ଏହା ଲବ୍ରିକେଟ୍ ସଙ୍କୋଚନ ଭାରର ବିଫଳତା ହେତୁ ହୋଇପାରେ ବୋଲି ଏଡ଼ାଇ ଦିଆଯାଇପାରିବ ନାହିଁ) |)ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚରରେ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏବଂ ସିଲିକାଇଡ୍ସର ଅଧିକ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶର ଉପସ୍ଥିତି ହେତୁ କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-3 ଏବଂ C-4 ର ସୀମିତ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ଅଛି |କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-5 ଏବଂ C-6 ର ନମୁନାଗୁଡ଼ିକର ସଙ୍କୋଚନ ପରୀକ୍ଷଣ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ଏହି ନମୁନାଗୁଡ଼ିକରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାଷ୍ଟିଂ ତ୍ରୁଟି ହେତୁ କରାଯାଇ ନଥିଲା (ଚିତ୍ର 10 ଦେଖନ୍ତୁ) |
କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-5 ଏବଂ C-6 ର ନମୁନାରେ କାଷ୍ଟିଂ ତ୍ରୁଟିର ଷ୍ଟେରୋମିକ୍ରୋଗ୍ରାଫ୍ (ଲାଲ୍ ତୀର ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ) |
VEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର କଠିନତା ମାପିବାର ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଡିମ୍ବରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |9 ବି।ବେସ୍ WEA ର 130 ± 5 HV ର କଠିନତା ଅଛି, ଏବଂ ନମୁନା S-1, S-2, S-3 ଏବଂ S-4 ର କଠିନତା ମୂଲ୍ୟ 250 ± 10 HV, 275 ± 10 HV, 570 ± 20 HV ଏବଂ 755 ± 20 HVକଠିନତା ବୃଦ୍ଧି ସଙ୍କୋଚନ ପରୀକ୍ଷଣରୁ ପ୍ରାପ୍ତ ଅମଳର ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ଭଲ ଚୁକ୍ତିରେ ଥିଲା ଏବଂ ଯ os ଗିକରେ କଠିନ ପରିମାଣର ବୃଦ୍ଧି ସହିତ ଜଡିତ ଥିଲା |ପ୍ରତ୍ୟେକ ନମୁନାର ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଚନା ଉପରେ ଆଧାର କରି ଗଣିତ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳ ଶକ୍ତି ମଧ୍ୟ ଡିମ୍ବିରିରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |9 ବି।ସାଧାରଣତ ,, କମ୍ପୋଜିଟ୍ C-2 ପାଇଁ ଅମଳ ଶକ୍ତି (1200 MPa), କଠିନତା (275 ± 10 HV) ଏବଂ ଆପେକ୍ଷିକ ବିସ୍ତାର (~ 37%) ର ସର୍ବୋତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣ ପରିଲକ୍ଷିତ ହୁଏ |
ବିଭିନ୍ନ ଶ୍ରେଣୀର ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ବିକଶିତ ଯ os ଗିକର ଅମଳ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଆପେକ୍ଷିକ ବିସ୍ତାରର ତୁଳନା ଚିତ୍ର 11a ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ CoCrFeNi ଉପରେ ଆଧାରିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ସ ଯେକ given ଣସି ପ୍ରଦତ୍ତ ଚାପ ସ୍ତରରେ ଉଚ୍ଚ ବିସ୍ତାର ଦେଖାଇଲା 62 |ଏହା ମଧ୍ୟ ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ ବିକଶିତ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଗୁଣଗୁଡିକ ଅମଳ ଶକ୍ତି ବନାମ ବିସ୍ତାରର ପ୍ଲଟ୍ର ପୂର୍ବ ଅବ୍ୟବହୃତ ଅଞ୍ଚଳରେ ଅବସ୍ଥିତ |ଏହା ସହିତ, ବିକଶିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଶକ୍ତି (277 MPa, 1200 MPa, 1925 MPa ଏବଂ 2522 MPa) ଏବଂ ବିସ୍ତାର (> 60%, 37%, 7.3% ଏବଂ 6.19%) ର ମିଶ୍ରଣ ରହିଛି |ଉନ୍ନତ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସାମଗ୍ରୀ ଚୟନରେ ଅମଳ ଶକ୍ତି ମଧ୍ୟ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାରଣ ଅଟେ 63,64 |ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ବର୍ତ୍ତମାନର ଉଦ୍ଭାବନର HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସ ଅମଳ ଶକ୍ତି ଏବଂ ବିସ୍ତାରର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ନିମ୍ନ ଘନତା SiC ର ଯୋଗ ଦ୍ୱାରା ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳ ଶକ୍ତି ସହିତ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଫଳାଫଳ ହୁଏ |ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳ ଶକ୍ତି ଏବଂ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ବିସ୍ତାର HEA FCC ଏବଂ ଚିତ୍ତାକର୍ଷକ HEA ସହିତ ସମାନ ପରିସରରେ ଅଛି, ଚିତ୍ର 11b ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି |ବିକଶିତ କମ୍ପୋଜିଟଗୁଡିକର କଠିନତା ଏବଂ ଅମଳ ଶକ୍ତି ବୃହତ ଧାତବ ଚଷମା 65 ସହିତ ସମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ଅଛି (ଚିତ୍ର 11c) |ବୃହତ ଧାତବ ଚଷମା (BMS) ଉଚ୍ଚ କଠିନତା ଏବଂ ଅମଳ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ, କିନ୍ତୁ ସେମାନଙ୍କର ବିସ୍ତାର ସୀମିତ 66,67 |ତଥାପି, ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ ବିକଶିତ ହୋଇଥିବା କେତେକ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର କଠିନତା ଏବଂ ଅମଳ ଶକ୍ତି ମଧ୍ୟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବିସ୍ତାର ଦେଖାଇଲା |ଏହିପରି, ଏହା ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ହେଲା ଯେ VEA ଦ୍ developed ାରା ବିକଶିତ ହୋଇଥିବା ଯ os ଗିକଗୁଡ଼ିକରେ ବିଭିନ୍ନ ଗଠନମୂଳକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକର ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଏବଂ ଖୋଜା ଯାଇଥିବା ମିଶ୍ରଣ ଅଛି |ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକର ଏହି ଅନନ୍ୟ ମିଶ୍ରଣକୁ FCC HEA ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ ସ୍ଥିତ ହାର୍ଡ କାର୍ବାଇଡଗୁଡିକର ସମାନ ବିଚ୍ଛେଦ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇପାରେ |ତଥାପି, ଶକ୍ତିର ଏକ ଉତ୍ତମ ମିଶ୍ରଣ ହାସଲ କରିବାର ଲକ୍ଷ୍ୟର ଏକ ଅଂଶ ଭାବରେ, ସିରାମିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଯୋଗ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନଗୁଡିକ କାଷ୍ଟିଂ ତ୍ରୁଟିରୁ ରକ୍ଷା ପାଇବା ପାଇଁ ଯତ୍ନର ସହ ଅଧ୍ୟୟନ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯେପରିକି S-5 ଏବଂ S-6 କମ୍ପୋଜିଟ୍ରେ ମିଳୁଥିବା ପରି | ନକ୍ଷତ୍ରତା |ଲିଙ୍ଗ
ଏହି ଅଧ୍ୟୟନର ଫଳାଫଳକୁ ବିଭିନ୍ନ ଗଠନମୂଳକ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ HEA ସହିତ ତୁଳନା କରାଯାଇଥିଲା: (କ) ବ ong ଼ିବା ବନାମ ଅମଳ ଶକ୍ତି 62, (ଖ) ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅମଳ ଚାପ ବନାମ ଡକ୍ଟିଲିଟି 63 ଏବଂ (ଗ) କଠିନତା ବନାମ କଠିନତା 65 |
SiC ର ଯୋଗ ସହିତ HEA CoCrFeNi ସିଷ୍ଟମ ଉପରେ ଆଧାରିତ HEA- ସିରାମିକ୍ କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଏକ କ୍ରମର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯାଇଛି ଏବଂ ନିମ୍ନଲିଖିତ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ନିଆଯାଇଛି:
ଆର୍କ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରି CoCrFeNi HEA ରେ SiC ଯୋଗ କରି ଉଚ୍ଚ ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲୟ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସଫଳତାର ସହିତ ବିକଶିତ ହୋଇପାରିବ |
ଆର୍ ତରଳିବା ସମୟରେ SiC କ୍ଷୟ ହୁଏ, ଯାହା କାର୍ବାଇଡ୍, ସିଲାଇସିଡ୍ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଯାହାର ଉପସ୍ଥିତି ଏବଂ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ଆଧାର HEA ରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା SiC ପରିମାଣ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |
HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଅନେକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଗୁଣ ସହିତ ଯାହା ଅମଳ ଶକ୍ତି ବନାମ ବିସ୍ତାର ପ୍ଲଟ୍ ଉପରେ ପୂର୍ବରୁ ଅଣସଂରକ୍ଷିତ ଅଞ୍ଚଳରେ ପଡ଼େ |6 wt% SiC ବ୍ୟବହାର କରି ନିର୍ମିତ HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ଅମଳ ଶକ୍ତି ବେସ୍ HEA ର ଆଠ ଗୁଣରୁ ଅଧିକ ଥିଲାବେଳେ 37% ନକ୍ଷତ୍ରତା ବଜାୟ ରଖିଥିଲା ​​|
HEA କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର କଠିନତା ଏବଂ ଅମଳ ଶକ୍ତି ବଲ୍କ ଧାତବ ଚଷମା (BMG) ପରିସର ମଧ୍ୟରେ |
ଅନୁସନ୍ଧାନରୁ ଜଣାପଡିଛି ଯେ ଉନ୍ନତ ଗଠନମୂଳକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଧାତୁ-ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣର ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମିଶ୍ରଣ ହାସଲ କରିବାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଏଣ୍ଟ୍ରପି ଆଲୋଇ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଏକ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ଆଭିମୁଖ୍ୟକୁ ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରେ |